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本文主要讲述带阻尼行输出管的检测及带阻晶体管的检测。
LM324的晶体管功放
资料简介：ADS晶体管模型的仿真PDF资料，讲的很好，非常清楚格式：RARPDF其他：*资源分1分，如果评论资源的话，会返还2分，欢迎评论。我这样设置的原因是：希望您下载资源之后，能够评
MOS晶体管的跨导gm表示交流小信号时衡量MOS器件VGS对IDS的控制能力(VDS恒定)的参数,也是MOS晶体管的一个极为重要的参数。 (忽略沟道长度调制效应,λ=0,在以下分析中,如未出现λ参数,
晶体管的电流放大能力等于集电极电流比上基极电流。这个比值有很多名字,包括电流增益和beta。不同的作者又对它也使用不同的符号,包括β和hFE。一个典型的集成NPN晶体管的beta值是大约等于150。某
详细讲解MOS管的用途以及识别各种MOS管。对MOS管更深刻的解析
1947年12月,美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿组成的研究小组,研制出一种点接触型的锗晶体管。于是乎,大名鼎鼎的、影响人类文明进程的晶体管就此诞生。1956年,这三人因发明晶体管同时荣获诺贝尔物
由Intel于2011年5月6日研制成功的世界上个3D三维晶体管“Tri-Gate”现在已经逐步进入大家的视线了,本文将介绍3D晶体管的优势。 3D晶体管 Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三
文章为大家总结了各种晶体管的检测方法大全。
晶体管的电参数,在常规情况下可分为极限参数、直流参数(DC)、交流参数(AC)等。但在实际的使用中,我发现还有许多想测而无法测量到的参数,为使工作方便,我便称其为“功能参数”。本文将分别叙述
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