因应日趋严苛的能源效率规范,特别是像server power的应用,从白金效率甚至是钛金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET,提供在静态切换的应用场合,减少功率损耗以提升效率,特别是针对高输出功率的产品设计。S7系列MOSFET应用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系统效率,与传统bridge diode相比,在230Vac输入时在50% load约可提高0.5%,而115Vac输入时在50% load约可提高1%。利用JRC NJ393C OP比较器搭配精简的电路再使用DC电压来对EVB上之pin脚供电即可实现此一高效率之测试结果。为提高系统的功率密度与自动化生产流程,S7系列MOSFET也推出各式封装,特别是SMD封装,在减少体积上有很显著的帮助,尤其是且有top side散热的技术,对于降低MOSFET本身温度与提高系统稳定度有很好的改善。因此可轻易符合美国能源效率法规DOE与欧盟CoC能源协议规范,来达到降低成本、体积缩小、符合新一代环保节能与高效率之产品设计。 核心技术优势1. 电路精简只需要4颗MOSFET与OP比较器即可完成active bridge电路  NJ393C为高集程度OP比较器,具有下列特点  提供宽范围的电源供应与双电源供应:+2V~36V或+/-1V~+/-18V  低操作电流:0.45mA at Vcc=5V  低偏压电流:20nA  输入共模电压范围  低输出饱和电压:80mV,typ  相等供应电源之差动输入电压范围:+/-36V  TTL、DTL、ECL、MOS与CMOS相容输出  内部ESD防护:HBM>+/-2KV 2. 与传统bridge diode相比在低电压输入时约可提升1%效率,在高电压输入时约可提升0.5%效率 3. 在系统平均效率上可满足钛金效率之能源需求 4. 可依据价格与效率需求来选择适合MOSFET Rds-on等级产品 5. 可依据系统空间与功率密度来选择适合MOSFET封装产品 方案来源于大大通