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针对低噪声放大器实际电路往往和仿真结果出入较大、调试困难等特征,以TRL校准件和芯片量测板为平台量测出芯片的S参数,通过和厂商提供的S参数比拟,在此基础上通过射频仿真软件设计出的低噪声放大器,在实际测
低噪声放大器是射频收发机的一个重要组成部分,也是射频电路设计中的难点。在此先对晶体管ATF-54143做了定性分析,根据定性分析以及实际需求,阐述了射频低噪声放大器设计与仿真的两种方法。一种是以最佳噪
低噪声放大器的设计制作与调试的实例,有实际的设计步骤讲解
摘 要:该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和
介绍了一种宽频带、低噪声放大器的设计方法.首先介绍了不对称微带十字型结阻抗匹配的设计方法,与传统单频率点匹配网络相比,具有频带宽和结构紧凑的优点.接着设计了一个单级Ku波段低噪声放大器,利用不对称微带
研究低噪声放大器的设计方法,运用射频理论,结合当前民航机载C波段雷达接收前端的要求,设计了一款高增益、低噪声、性能稳定的放大器,能满足C波段机载接收前端的要求。
分析了低噪声放大器设计中最常用的源极电感负反馈输入匹配结构,指出其存在的缺陷及如何改进,即利用一个小值LC网络代替大感值的栅极电感Lg,同时移除源极负反馈电感Ls。应用这种改进型输入匹配结构,基于0.
针对通信系统对S波段低噪声放大器的需求,基于0.25 μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA)。该放大器采用两级级联的拓扑结构,第一级放
关于BJT的噪声模型分析、输入匹配、以及主抗匹配的知识
介绍低噪声宽带放大器,方案可行性研究 是关于电子设计大赛题目的讨论
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