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苏修列别捷夫物理研究所研究了影响以电子束激励的GaAs激光器的输出功率和效率的因素。测量是在液氮温度和室温下进行的。使用45千电子伏的电子束,在样品表面得到10安培/厘米2的电流密度,完成了GaAs的
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利用“闪光二号”相对论电子束加速器研制了百焦耳级XeCl和KrF准分子激光器,激光器激活体积24 l,输出口径20×20 cm2,泵浦功率密度1.5~2.0 MW/cm3。XeCl激光器最大能量136
报道了以掺Yb介质硅酸镥钇晶体为增益介质的激光行为。在自由运转的条件下,在1086 nm的中心波长处用2.5%的输出耦合镜得到7.8 W的连续激光输出,相应的斜效率为64%。利用SF14棱镜作为腔内调
提出了一种基于光反馈半导体激光器的混沌特性产生超宽带(UWB)信号的新方法。一个商用的通信波段半导体激光器在外腔光反馈下实现混沌振荡,输出连续波混沌激光,经由一个电吸收调制器后,被调制为一系列混沌脉冲
实验研究了光泵浦脉冲宽度对受激喇曼发射型D2O激光器和激光发射型CH3F496微米激光器的激光能量和转换效率的影响,宽的脉冲泵浦将显著改善输出能量和转换效率。
报道了高重复率重复Q开关的红宝石激光器第一次成功的运转。使用声光Q开关,重复率已达到5000个脉沖/秒。当激光器达最佳化时,在500个脉冲/秒时,峰值功率输出可望达到20千瓦,2000脉沖/秒时,达到
随着各种技术的发展,半导体激光器已经能在多种焊接应用中一展身手。在实际工业生产中,半导体激光器已能够焊接汽车、电子产品、
半导体激光器与单模光纤的耦合研究,分析了影响耦合效率的因素
max3766芯片手册,能驱动大部分激光器实现操作过程
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