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在波长为1.55 gm的长波长区域,由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题,人们便转向使用InP基材料。在InP衬底上生长InGaAsP,通过调整化合物组分含量使它能在1.2~1.6 gm波长范围内工作
单个InAs纳米线光电探测器的反常光电导行为
哈希图 总览 Golang无锁无线程安全HashMap,针对最快的读取访问进行了优化。 用法 为地图中的键设置值: m := &HashMap{} m.Set("amount&quo
设计了一种InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管(APD),并利用MEDICI软件进行了模拟仿真。器件采用背入射探测方式。雪崩增益区采用埋层设计,省略了保护环等结构;并使用双层掺杂,有效降低了增益区
图1给出了一种基于透射深度相关的强波长全硅彩色传感器结构阳。彩色传感器与所必需的电信号处理电路以双极工艺集成在一起。 P+-N型光电二极管采用在电阻率p=6Ω·cm的N型外延层上注入硼形成。光电二
报道了一种Si基长波长、窄线宽光探测器。该探测器采用异质外延生长技术, 首先在Si衬底上生长高质量的GaAs基滤波器, 接着生长InP基PIN光探测结构。其中的GaAs/Si异质外延生长, 采用中间刻
提出了一种高速光探测器封装优化设计的新方法。首先用矢量网络分析仪对封装寄生参量和探测器芯片进行准确测量,研究了探测芯片的本征参量与封装寄生参量之间的谐振现象,然后合理利用这种谐振效应对芯片的频率响应特
p2p探测器能探测到网上用于p2p分享的好东西只要输入关键字即可
吸收增强的光栅型金属-半导体-金属光电探测器的优化设计
二维码 一个简单的库,用于生成C语言中的,针对处理和内存受限的系统进行了优化。 特征: 基于堆栈的(不需要堆;但是您可以根据需要使用堆) 低内存占用空间(相对) 不必要的逻辑和常量的编译时剥离 MIT
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