报道最多的p型透明导电材料是基于Cu的化合物,例如CuAlO2和CuCrO2。 在这里,我们报道基于ns(2)阳离子具有低结合能的化合物也可以具有高价带最大值,这对根据掺杂限制规则的p型掺杂至关重要。 特别是,通过第一性原理计算,CsGeCl3是具有ns(2)阳离子价带最大的化合物,被预测为有前途的p型透明导电材料。 我们的结果表明,p型缺陷Ge空位以浅过渡能级占据其固有缺陷,并且在CsGeCl3中计算出的空穴有效质量较低。