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在密度泛函理论的框架内,研究了电场对两个石墨烯片(G / MoS2 / G)之间的MoS2单层电子性能的影响。 我们表明,在垂直于G / MoS2 / G超晶格的方向上施加的正负电场会显着改变整个系统
场效应管的特性总结。
用于非易失性有机场效应晶体管存储器的溶液处理宽带隙有机半导体纳米结构阵列
意法半导体日前针对汽车市场推出新的大电流功率场效应MOS晶体管,该产品采用ST最新优化的STripFET专利技术,实现了最低的导通电阻。 STD95N04是一个40V的标准电平的DPAK产品
晶体管原理和MOS管原理，主要描述mos管得常见应用，以及基本功能
MOS场效应管手册，MOS场效应管手册,MOSFET
这里介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管。该变压器的工作原理及制作过程:图1工作原理一、方波的产生这里采用CD4069构成方波信号发生器。
本文讲述场效应管的直流参数、场效应管的微变参数及其他参数。
MOS模型 MOS的一级模型是SPICE的MOSFET模型中最简单的一种。该模型适于沟长大于5微米,栅氧化层厚度大于500埃的MOSFET。计算速度快但不精确。 MOSFET的二级模型是基于几何图形的
1.绝缘栅型场效应管的结构 绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从SiO2上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻
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