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利用基于密度泛函理论的第一性原理,计算了氮原子在Ti(0001)表面及次表面的吸附性质随覆盖率的变化规律,以及预吸附氢对表面氮原子吸附的影响。吸附能和表面电子结构的分析结果表明,N原子在Ti(0001
NbSi2奇异高压相及其热力学性质的 第一性原理研究
第一性原理研究高压下H3S0.75P0.25的超导电性，邵子霁，李正磊，本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，以立方结构的H3S为母体，利用扩胞替代的方法将部分S原子替换成P原子得到H3S0.
Au掺杂的Hg0.75Cd0.25Te材料电子结构影响的第一性原理研究，韩金良，孙立忠，我们基于密度泛函理论平面波赝势的第一性原理方法，研究了Hg0.75Cd0.25Te（MCT）材料Au原位取代Hg
我们使用基于自旋密度泛函理论的第一原理,以数字方式给出了掺钛ALP系统的铁磁和自旋分辨电子性能。 发现Ti杂质是自旋极化的,并且根据计算出的能带结构表明导电载流子的100%极化。 此外,还证明了每Ti
第一性原理对二碲化钨的纳米带电子结构性质的预测研究,王健豪,杨宇,当二维材料的尺寸缩小至纳米级别时,其物理与电子特性会显著改变。通过把 2H 和 当二维材料的尺寸缩小至纳米级别时,其物理与电子
La掺杂Mg合金力学性能第一性原理计算，何亚蒂，王轶农，本文通过采用第一性原理，计算分析了再纯Mg结构中置换固溶入少量的La元素后，对Mg金属力学性能的影响。文章首先分析了合金的存在性
本文采用基于第一性原理的全电势线性缀加平面波(FP-LAPW)法,计算了Fe,S两种元素共掺杂SnO_2材料的电子结构和光学性质.结果表明:材料仍为直接禁带半导体,体系呈现半金属性;Fe,S共掺可以窄
在最近的实验中,发现在低偏压下寡噻吩-CH 2分子的电导的量子长度依赖性[Xu等人,Nano Lett.Natl.Acad.Sci.USA。 5,1491(2005)]中,较长的分子具有较大的电导率。
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法, 计算了Mn4Si7及Mo掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质。计算结果表明Mn4Si7的禁带宽度Eg=0.804 eV, Mo掺杂Mn4Si7的禁
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