电子元器件场效应管的概述

本文讲述场效应管的直流参数、场效应管的微变参数及其他参数。

常用功率场效应管的应用资料,比较难得。比如:IRFP251 N-FET MOS-enh,S-L 150 33 180 180/120 0.085Ω

该电路是由约翰·伦德格伦改编自“拨动开关去抖的按钮”。需要从一个位置接通和从另一个位置关掉负载，这个电路是有用的。任何数量的瞬间（N / O）开关或按钮可并行连接。 在原理图上的左侧的组合（10K，1

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是

场效应管与晶体管的比较 （1）场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。 （2）场效应管是多子导电，而晶

详细介绍了MOS管的工作原理，以及相应的用法，ppt格式

3DJ系列场效应管的主要特性参数见表。 3DJ列场效应管主要特性参数

V-MOS功率型场效应管具有开关速度快、导通电阻小、输入阻抗高、耐压高及驱动功率小等特点,且有安全工作区宽、过载能力强及热稳定性好等优点,在功率放大、电机调速、开关电源等领域有着广泛的应用。

小功率场效应管具有输入电阻极高、驱动电流小、噪声低等特点,适用于前置电压放大、阻抗变换电路、振荡电路及高速开关电路。

怎么用场效应管,以及其参数,可以看看....................