镶嵌于二氧化硅中的硅纳米晶的电致发光,陈丹,解志强,本文研究硅纳米晶和二氧化硅的电致发光(EL)和光致发光(PL),目的在于确定前者的EL是否确实包含硅纳米晶发光的成分。实验结果清�
通过高温熔融法和热处理成功制备了白光发光的Eu2+/Eu3+掺杂SiO2-Al2O3-ZnO-K2CO3微晶玻璃。测试了微晶玻璃的X射线衍射谱(XRD)、激发光谱和荧光光谱。研究发现,X射线衍射谱表明
BaTiO_3铁电薄膜的光致发光研究
采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体异质外延膜的禁带宽度,结合Material Studio软件中的CASTEP模块模拟计算AlxGa1-xN异质外延膜材料的弯曲因子,测定了AlxGa1
CdSe-TOP,CdSe-ODA-TOPO,CdSe / CdS和CdSe / EP纳米复合材料的光致发光量子产率和稳定性得到改善
通过时间分辨光致发光(TRPL)研究了具有不同势垒的InGaN多量子阱(MQW)的发射寿命与载流子寿命的关系。 对于高能光子,观察到了两个指数的衰减过程。 这可以通过InGaN量子阱中的两种载流子定位
氧空位对Cr掺杂SnO2超晶格中电子和磁性的影响
准一维纳米线电子动力学的量子尺寸效应,杨成英,,考虑准一维纳米材料的有限尺寸及可能存在的无序,基于量子扩散理论,研究了电子在准一维纳米线中的量子动力学行为。结果表明,随
石礼伟,李玉国,王强,薛成山,孙海波(山东师范大学半导体研究所,山东 济南 250014)摘要:钴基合金和铁基合金磁性纳米颗料薄膜和纳米超晶格结构,由于具有较高的矫元力和各向异性能,较小的粒子尺寸分布
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,探究了化学气相沉积硼掺杂和氮掺杂金刚石的吸附生长过程:建立了一端为氢终止表面的金刚石基底模型以及单个氮取代或单个硼取代的掺杂金刚石基底模型,并计算这些模
