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采用磁控共溅射法并结合微波退火和快速光热退火工艺, 在不同退火温度下制备了含硅量子点的富硅SiCx薄膜。采用掠入射X射线衍射(GIXRD)、拉曼光谱和光致发光(PL)光谱技术对薄膜进行了表征, 研究了
通过高温熔融法和热处理成功制备了白光发光的Eu2+/Eu3+掺杂SiO2-Al2O3-ZnO-K2CO3微晶玻璃。测试了微晶玻璃的X射线衍射谱(XRD)、激发光谱和荧光光谱。研究发现,X射线衍射谱表明
BaTiO_3铁电薄膜的光致发光研究
采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体异质外延膜的禁带宽度,结合Material Studio软件中的CASTEP模块模拟计算AlxGa1-xN异质外延膜材料的弯曲因子,测定了AlxGa1
CdSe-TOP,CdSe-ODA-TOPO,CdSe / CdS和CdSe / EP纳米复合材料的光致发光量子产率和稳定性得到改善
通过时间分辨光致发光(TRPL)研究了具有不同势垒的InGaN多量子阱(MQW)的发射寿命与载流子寿命的关系。 对于高能光子,观察到了两个指数的衰减过程。 这可以通过InGaN量子阱中的两种载流子定位
H3C的命令手册，应该对需要的朋友非常实用吧！好好学习，天天向上！
准一维纳米线电子动力学的量子尺寸效应，杨成英，，考虑准一维纳米材料的有限尺寸及可能存在的无序，基于量子扩散理论，研究了电子在准一维纳米线中的量子动力学行为。结果表明，随
氧空位对Cr掺杂SnO2超晶格中电子和磁性的影响
石礼伟,李玉国,王强,薛成山,孙海波(山东师范大学半导体研究所,山东 济南 250014)摘要:钴基合金和铁基合金磁性纳米颗料薄膜和纳米超晶格结构,由于具有较高的矫元力和各向异性能,较小的粒子尺寸分布
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