DDR3走线规则,使用于高速电路系统设计。该文档翻译自飞思卡官方文档。内容包括:1.设计检查表2.终端匹配电阻功耗计算3.VREF计算4DDR布线5.仿真计算等等
应该是金士顿的,1333MHZDDR3内存,自己电脑获取,公司代码未知,但是可以使用
DDR3的sodimm接口规范,欢迎下载!
DDR3读写控制器设计是一项非常重要的任务,因为它直接影响到计算机内存的访问速度。本文将详细介绍DDR3读写控制器的设计原理和实现方法,其中包括时序控制、数据控制、预充电和自刷新等方面的内容。对于需要
Verilog语言中,DDR3控制器的实现通常体现了高度的工程技术和设计功底。其中,ddr3_ctrl.v是一个典型的Verilog代码文件,用于描述DDR3控制器的各种功能和操作。该代码文件中包含了
DDR3 Detailed Description Take Micron MT41J128M8 1Gb DDR3 SDRAM as an example
JESDddrddr2ddr3规范,3种规范,帮助理解ddr
DDR3 在布线中十分重要,它必须考虑阻抗匹配问题,通常单端为 50Ω,差分 100Ω。 图 3 给出了 DDR 及其去耦电容的最终布局,其中左图是顶层布局,右图为底层布局,共计 4 片 DDR3 芯
DDR3内存的PCB仿真与设计
