AlGaN / GaN横向场效应整流器的器件几何和温度相关特性研究

通过研究正向和反向特性对器件几何形状(肖特基栅极控制沟道)和温度的依赖性,详细研究了AlGaN / GaN横向场效应整流器(L-FER)的温度相关特性。正向电流随沟道长度的减小而增加,而比导通电阻则显示正温度系数。此外,对于具有不同器件几何形状的L-FER,观察到了不同的温度相关反向特性。肖特基栅极控制通道中的碰撞电离和肖特基反向泄漏电流的组合可用于了解L-FER的反向击穿。