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60年前,科学家们在贝尔实验室证明了20世纪最重要的发明:第一只真正的晶体管。 很难说电子时代起源于何时,但是,WilliamSturgeon在1825年对电磁石的发展,为JosephHenry在
全面系统地介绍半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结晶体管和绝缘栅场效应晶体管的基本原理和工作特性，包括直流、功率、频率、开关、噪声等特性，以及器件的SPICE模型。
(一)晶体管材料与极性的判别 (二)晶体管性能的检测 (三)特殊晶体管的检测
本文主要简单介绍了单极型晶体管和双极型晶体管
晶体管基本应用及分析,老师的课件。有需要请下载
韩国庆熙大学日前通过将有机TFT面板的PVP栅绝缘膜进行OTS(Octadecyltrichlorosilane,十八烷基三氯硅烷)涂布处理,提高了载流子的迁移率。据说导通和截止时的电流比超过了10的
高性能,端边缘杂化阳极的AlGaN / GaN功率二极管
高压AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的电场调制技术
表面态对AlGaN/GaN异质结构2DEG影响的模拟分析，杨帆，林哲雄，该文章主要利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2DEG）形成之间的关系，主要分析施主表面态电
以SiH4和H2作为气源, 采用热丝化学气相沉积法制备a-Si∶H薄膜钝化c-Si表面, 采用准稳态光电导法和I-V法分析了工艺参数对钝化效果的影响, 采用C-V法和深能级瞬态谱法对钝化后硅片表面的缺
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