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四元化合物In1-X,GaXAs1-yPy可以通过在InP衬底上外延生长而获得良好的晶格匹配。通过优化艿和y值既可以保证晶格匹配又可以获得需要的禁带宽度。例如In0.53Ga。47As与InP完全匹配
为了减小氧化层残余电荷引起界面陷阱中心使载流子消失以提高转移效率,可以在氧化层和衬底之间增加一层隐埋层使转移沟道从表面移向体内。由图1(b)可以看出,势能极小值脱离了界面进入了体内,避免了表面态的影响
目前广泛使用的摄像器件是CCD型摄像器件。CCD于1970年由贝尔实验室发明[82],此后关于CCD的研究蓬勃发展,CCD最小像素尺寸由1972年的40um减小到了1995年的5 gm,像素单元也从最
在波长为1.55 gm的长波长区域,由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题,人们便转向使用InP基材料。在InP衬底上生长InGaAsP,通过调整化合物组分含量使它能在1.2~1.6 gm波长范围内工作
单个InAs纳米线光电探测器的反常光电导行为
图1给出了一种基于透射深度相关的强波长全硅彩色传感器结构阳。彩色传感器与所必需的电信号处理电路以双极工艺集成在一起。 P+-N型光电二极管采用在电阻率p=6Ω·cm的N型外延层上注入硼形成。光电二
A modified Angelov model for InGaP InGaAs enhancement- and depletion-mode pHEMTs using symbolic defi
对靶喷雾是新近发展起来的高效低污染施药新技术
介绍了四象限探测器的工作原理及影响四象限探测系统精度的各种内外部因素，详细分析了四象限探测器死区对探测范围内探测灵敏度的影响。在探测范围内，对各个象限内高斯光斑接收的光功率进行计算，并用Ｍａｔｌａ
采用天然鳞片石墨为原料,用氧化-还原法在不同还原温度制备石墨烯,通过XRD、SEM、恒流充放电等检测手段研究了不同工艺参数对石墨烯结构和电性能的影响.研究结果表明:石墨烯具有片层结构,其层间距随着还原
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