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超低温氮化硅光子集成平台
这项研究工作的主要目的是减少任何给定元素，化合物或材料的功函数。 为了降低给定材料的功函，我们必须减小导带和价带之间的带宽。 因为根据功函数的定义，需要从原子的价带上除去电子的能量的量也称为电离能。
PECVD氮化硅膜的制备及其红外光谱分析
与可见光波长的氮化硅微环谐振器集成的石墨烯/ MoS2异质结构光电探测器
基于Add-Drop型氮化硅微环滤波器,利用光学单边带调制和光载波分离的方法,实现可重构微波光子带通滤波器。滤波器带宽和带外抑制比分别达到726 MHz和37.0 dB。并且通过改变光载波波长实现1.
Actel公司业已推出多种符合工业规范的高性能非易失性现场可编程门阵列(FPGA器件。 这些新的工业级单芯片Axcelerator器件具有高达2百万个系统门的密度。公司"保证这些器件在-4
观察到具有ITO / SiO2 / SiNx / Ag / p / p(+)-Si / Al结构的SiNx发光器件(LED)的增强电致发光(EL)。 与没有Ag岛层的SiNx LED相比,具有Ag岛层
通过高频率分辨率的光矢量网络分析法测试氮化硅微环的相位特性可以实现对延时量的间接测试。但测试系统中的相位噪声、激光载波频率波动、信噪比等因素会影响氮化硅微环芯片延时谱的测量稳定度。实验分析这些因素对氮
通过将Si离子注入到Si3N4薄膜中,然后进行高温热退火,已经合成了嵌入硅纳米粒子(Si-NP)的氮化硅(Si3N4)薄膜。 随着不同的硅离子注入剂量,Si-N4基质中的Si-NPs浓度也发生了变化。
本文通过利用砷化镓(GaAs)中光注入的可变电导率,设计了一种不对称平面太赫兹(THz)超材料,该材料通过GaAs条带与两个单间隙裂环谐振器(SRR)连接,并且证明了在适当的光泵浦下SRR在THz范围
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