分别采用液相外延瞬态法的两种不同模式--步冷法和超冷法生长了GaAs0.9Sb0.1薄膜。采用X射线衍射谱、扫描电镜、拉曼光谱仪研究了GaAs0.9Sb0.1薄膜的晶体结构、截面形貌和发光性能等。研究结果表明:与超冷法相比,步冷法生长外延薄膜的速率更加缓慢,但薄膜晶体结构的质量更高、界面更平滑;两种不同液相外延模式生长的GaAs0.9Sb0.1薄膜的光致发光性能差别不大。