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图1 TSMC 0.35pm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟 图1(a)模拟了工作二极管响应电流与外加反压的关系曲线,三条曲线分别为无光照、光照强度分别为1WZcm2、25w/cm2,
光电探测器量子效率的准确测定对光辐射计量具有重要意义。基于低温辐射计,在氦氖、氩氪离子以及钛蓝宝石激光器的10个波长上测量了无窗型硅光电探测器的外量子效率。根据光电探测器表面反射比和二氧化硅层厚度的关
半导体光电探测器由于体积小，灵敏度高，响应速度快，易于集成，是最理想的光电探测器，典型的包括PIN光电二极管、雪崩二极管以
基于CMOS技术的集成光电智能探测器、电子技术,开发板制作交流
提出了还原氧化石墨烯(RGO)和单壁碳纳米管(SWCNT)复合的不取向碳热ZnO纳米线(ZNWs)的紫外可见光响应特性的综合比较研究。 RGO / ZNWs复合材料(GZWs)和SWCNTs / ZN
目前,长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的,其传输速率已经超过了40 Gb/s,然而,Ill-V族材料的光接收器和OEIC价格昂贵,对于短距离数据传输的应用,例如局域网、光纤
半导体光电探测器是利用内光电效应进行光电探测的,通过吸收光子产生电子ˉ空穴对从雨在外电路产生光电流。其过程可以分为三步:光子吸收产生电子ˉ空穴对,在适当内电场作用下载流子的漂移,欧姆接触收集载流子。半
本文是有关金属探测器电路的分析。
这是金属探测器课程设计资源，里面有电路图和源程序，需要请自行下载
本双线圈金属探测器由探测头、发射器、接收器、定时器和音响发生器组成，如图a所示。这种金属探测器是利用发射线圈和接收线圈的互感耦合原理制作的，当线圈接近金属体时，由于耦合参数的变化，使振荡频率发生变化，
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