东京冲电气公司已研制出一种以各类砷化镓为激活晶体的高功率半导体激光器。掺有硅杂质的砷化镓在900 °C高温下以液相外延法生长,掺硅杂质将其发射波长移到砷化镓的吸收带外。此种原型半导体二极管在1平方毫米
半导体激光已20年了。回顾20年来半导体激光的发展历程,展望未来,是很有意义的。
半导体激光器是一种高功率密度并具有极高量子效率的器件,微小的电流变化将导致光功率输出的极大变化和器件参数(如激射波长、噪声性能、模式跳动)的变化,这些变化直接影响器件的安全工作和应用要求。本公司设计和
分析和讨论了激光反馈干涉现象,根据半导体激光器的反馈干涉理论,研究了反馈干涉模型及其信号的调制和解调方法,介绍了典型的传感应用.理论和实验表明,激光反馈干涉的理论不同于传统干涉,信号处理方法也有其特点
用脉宽15~20ns的XeCl准分子激光脉冲泵浦可调腔长的R6G超短腔激光器,得到的输出脉宽压缩了15~20倍;输出脉宽随泵浦光斑大小及能量的变化,得到与以前不同的结果。
本文利用散射矩阵法和两步等效反射率法,分别就强耦合和弱耦合情况分析了耦合腔激光器的单模工作机理,并给出数值计算结果。
光参量振荡器的阈值与泵浦光的光束质量有极大的关系, 为降低光学参量振荡器(OPO)起振阈值, 本实验将受激布里渊散射(SBS)相位共轭效应引入光学参量振荡器的泵浦源中, 以改善光束质量, 使光学参量振
多年来,半导体激光器的实际直接调制带宽普遍承认在较低的GHz范围或者略低于2 GHz。然而,许多应用可能使用频率超过10 GHz范围的直接调制。宽带长途通信和高速计算机通信需有每秒几Gbit速率的脉冲
苏修列别捷夫物理研究所报导了脉冲CO2激光器的泵浦脉冲和Q开关技术之间最隹耦合的研究结果。使泵浦与Q开关反射镜发生同步,因而就有可能在泵浦脉冲的任何位相处获得Q开关脉冲。
利用KrF激光泵浦高压H_2,产生受激喇曼散射(SBS),得到时间宽被压缩的Stokes光和Anti-Stokes光,一阶Stokes光的发散角被压缩到泵浦光的1/3。研究了缓冲气体对Stokes光转