具有p AlGaN / InGaN超晶格末量子势垒的GaN基发光二极管的优势

数值研究了具有应变补偿的p-AlGaN / InGaN超晶格(SL)和最后量子势垒(LQB)的GaN基发光二极管(LED)的优势。 仿真结果表明,通过用p-AlGaN / InGaN SL代替常规u-GaN和p-GaN的最后一个势垒,可以显着提高输出功率和内部量子效率。 这些改进主要归因于通过采用新设计的结构减轻了最后一个势垒的极化引起的能带弯曲而导致的电子约束和空穴注入效率的提高。 此外,通过使用p-AlGaN / InGaN SL作为最后的势垒,可显着改善LED的效率下降。