BL59A/S10 是光电型烟雾检测电路,使用时外部配有一个红外探测腔。电路工作时, 先由芯片红外发射端 IRED 控制的红外发光二极管周期性地发射红外线,接收端 Detect 由一个光电二极管负责检
全组分AlGaN是指Al组分(原子数分数)在0~1之间的AlGaN。通过将组分引入到AlGaN的复折射率中,在200~800 nm光谱范围内建立了全组分AlGaN复折射率公式。通过椭圆偏振法获得了蓝宝
为了提高在感兴趣的波长范围内的量子效率,特殊的梯度带隙开发了应用于AlGaAs / GaAs光电阴极的结构,其中成分等级AlxGa1-xAs层中的掺杂与GaAs层中的掺杂等级相关。 实验性结果表明,这
利用自行研制的超高真空激活系统与表面分析系统,通过X射线光电子能谱(XPS)分析确定了采用的GaN(0001)化学清洗配方的有效性,并通过激活结果验证了达到原子级清洁表面所采用的加热清洁工艺的正确性。
这种红外光电阴极会使钇铝石榴石激光器的地位极大地提高。这种探测器对于1.06微米的波长的灵敏度比普通的S-1光敏表面高10倍,对于钇铝石榴石激光器,将是一种兼备了高功率、高效率、连续波能力和紧凑等优点
以“三步发射模型”为基础, 采用积分的方法推导出反射式和透射式负电子亲和势(NEA)光电阴极的量子产额表达式, 其中反射式阴极的表达式和传统的求解扩散方程得出的表达式完全相同, 而根据透射式阴极的表达
我们报道了在熔融石英衬底上掺有银纳米团簇的ZnO薄膜的紫外激光诱导的光伏效应。 在266 nm脉冲激光的照射下,在25 ps的持续时间内,观察到半峰全宽的开路光电压约为1 ns。 当用308 nm激光
首次采用光子能量小于硅中浅受主杂质电离能的可调谐远红外激光器作为激发源,获得了硅中浅受主杂质的光电导谱.可调谐半导体远红外激光器的调谐范围为380~500cm~(-1),光子流密度约10~(18)/c
收稿日期:1986-10-31
光电子能谱的分峰拟合是对能谱分析的关键,这里详细介绍了每一步的处理过程以及处理数据的注意事项