SiC热氧化SiO2的光谱学表征研究,田晓丽,石瑞英,C元素的存在及其诱生的空位型缺陷影响SiC热氧化SiO2层的质量及SiC MOS器件的击穿特性。本文利用红外光谱研究了6H-SiC上热氧化生长的S
温度对嵌段多肽控制合成SiO2的影响,刘玉萍,佟欣,利用2个链段都含有苯环的嵌段共聚多肽Phe20-b-PBLG50为模板,以苄氨为催化剂,以苯胺基甲基三乙氧基硅烷为媒介,借助于π-π相互作用,�
为了更好地测定工作场所中游离Si O2的含量,基于焦磷酸法,采用准确度、精密度、回收率与时效性指标的方法,对实验的过滤部分就设备动力和过滤溶液水量进行了优化。结果表明:过滤时的溶液水量大约在250 m
在模糊球范式中,信息悖论得以解决,因为黑洞被没有视线的物体所取代。 因此,有人可能会问,观察是否可以将传统的洞与绒毛球区分开。 我们给出了为什么绒毛球结构应该靠近地平线的观点。 即应该是“紧密”的模糊
在重离子碰撞中,中型射流相互作用的逼真的建模对于成功预测射流的结构和可观察形状的重要性变得越来越重要。 在Jewel中,所有由硬散布的partons引发的parton淋浴的partons都会与来自介质
安利民1,2,单桂晔3,刘益春1,孔祥贵2(1.东北师范大学物理系,吉林 长春 130024;2.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林 长春 130033;3.吉林大学化
基于纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件结构,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了亚阈值区漏极电流模型和栅极电流模型。其中将频率与偏置依赖性的影响显式地体现在模型中。通过对比分析发现
纳米级电气特性 研究纳米级材料的电气特性通常要综合使用探测和显微技术对感兴趣的点进行确定性测量。但是,必须考虑的一个额外因素是施加的探针压力对测试结果的影响,因为很多材料具有压力相关性,压力会引起
SiC@SiO2同轴纳米电缆超疏水表面的制备、机理及稳定性,赵健,李镇江,近年来,为了获得自清洁及抗腐蚀表面,人们对SiC@SiO2同轴纳米电缆的超疏水改性产生了极大兴趣。在室温下,以FAS(CF3(
一个简单的lammps计算SiO2晶体结构的输入文件,可以得到一个六方晶系的SiO2分子结构
