具有减小的单元间距的改进的击穿电压SOI LDMOS的实验和理论研究

提出并制造了一种具有降低的单元间距的改进的击穿电压(BV)SOI功率MOSFET。 对其击穿特性进行了数值和实验研究。 MOSFET具有双沟槽(DTMOS),源区和漏区之间的氧化物沟槽以及延伸至掩埋氧化物(BOX)的沟槽栅。 所提出的装置具有三个优点。 首先,由于氧化物的介电常数比硅的介电常数低,因此氧化物沟槽增加了x方向上的电场强度。沟槽栅极,氧化物沟槽和BOX引起多方向耗尽,改善了电场分布并增强了RESURF(减小的表面场)效应,均增加了BV。沿y方向折叠漂移区,从而减小了单元间距;第三,沟槽栅不仅减小了导通电阻,而且还充当了提高BV的场板。 ,沟槽栅极实现了高压集成电路(HVIC)中高压器件和低压CMOS器件之间的隔离,有效地节省了芯片面积并简化了隔离过程。180制作了带有其驱动IC的V型DTMOS原型以验证该机制。