本文提出了两种新型的具有连续连续记忆功能的理想的理想有源磁通控制光滑多段二次非线性忆阻器。 通过构建忆阻器仿真器电路,可以验证两个忆阻器模型的收缩磁滞回线特性。 使用这两个忆阻器模型建立新的忆阻多滚动蔡氏电路,该电路可以生成2N滚动和2N + 1滚动混沌吸引子,而没有任何其他普通的非线性函数。 此外,在提出的忆阻多滚动蔡氏电路中发现了共存的多滚动混沌吸引子。 相图,李雅普诺夫指数,分叉图和平衡点分析已用于研究忆阻多滚动蔡氏电路的基本动力学。 电路实现与数值仿真的一致性验证了系统设计的有效性。