IC 产线可以分成 7 个独立的生产区域:扩散(Thermal Process)、光刻(Photo- lithography)、刻蚀 (Etch)、离子注入(Ion Implant)、薄膜生长(Dielectric Deposition)、抛光(CMP)、金属化(Metalization)。 扩散属于高温工艺(目的是掺杂);光刻利用光刻胶的感光性将掩膜版上的图形转移到光刻胶薄膜上;刻蚀 将光刻胶上的图形复制在硅片上;离子注入是对硅片进行掺杂;薄膜区是淀积介质和金属层;抛光是将硅 片上表面凹凸不平的区域平坦化;金属化是制备金属互联线和形成接触。集成电路设备市场被美日荷垄断。集成电路设备制造技术