应用等效哈密顿方法[1]研究了晶体薄膜中Wannier激子的能级结构。但本文中考虑了激子有效半径随薄膜厚度的变化及其对能级结构的影响。具体对GaAs晶体薄膜作了计算。得到了不同薄膜厚度下激子的结合能和基态、第一激发态的能量。