片状多层陶瓷电容器的封装方法

片状多层陶瓷电容器的封装方法片状多层陶瓷电容器的封装方法随着以片状多层陶瓷电容器为首的电子元器件的快速小型化发展，尺寸也进行了如下变化：size(EIA)3216(1206)→2012(0805)→1608(0603)→1005(0402)→0603(0201)→0402(01005)*，对于封装的难度也在不断增加。*size(EIA)3216(1206)：3.2mm×1.6mm／2012(0805)：2.0.mm×1.2mm／1608(0603)：1.6mm×0.8mm／1005(0402)：1.0mm×0.5mm／0603(0201)：0.6mm×0.3mm／0402(01005)：0.4mm×0.2mm如图1所示，封装工艺中产生的问题主要有元器件位置偏移、翘立，竖立等形式。这种整个元件呈斜立或直立，如石碑状，人们形象地称之为"立碑"现象(也有人称之为"曼哈顿"现象)。图1封装过程中的问题以下就立碑现象的成因与防止对策要点进行介绍说明。如图2所示，立碑现象的产生是由于在焊锡时，作用于元件左右电极的张力不平衡，一侧翘立并旋转而造成的。销售村田MURATA,TDK品牌贴片电容,电感,磁珠,滤波器,振荡子等元器件.深圳奥纳科技有限公司zb@awnatech.com13632701009朱先生图2立碑现象的成因造成张力不平衡的因素有很多，例如：左右的焊盘尺寸、焊锡厚度、温度、贴装偏移等。如何有