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摘 要:该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和
关于单晶体管放大器入门的一个ppt，讲解比较详细
英文版微波晶体管放大器分析与设计
晶体管单级放大器设计很详细的介绍了设计的方法 步骤，注意事项
基于TSMC 0.18 μm工艺研究3 GHz~5 GHz CMOS超宽带无线通信系统接收信号前端的低噪声放大器设计。采用单端转差分电路实现对低噪声放大器噪声消除的目的,利用串联电感作为负载提供宽带匹
ADS设计低噪声放大器的设计与制作.pdf详细的操作步骤！
摘 要: 基于0.18 μm CMOS工艺,采用共源共栅源极负反馈结构,设计了一种3 GHz低噪声放大器电路。从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能,提出了相应的优化设计方法。仿真结果表明,该放
随着卫星通信、调频技术等相关技术的发展,对射频前端特别是低噪声放大器的工作频带提出了更高的要求,传统的窄带低噪声放大器越来越受到限制。低噪声放大器位于射频的前端,根据通道噪声系数的理论,低噪声放大器的
GPS全称为全球定位系统,由24颗卫星分布在6个不同高度的轨道上,按功能分有导航和定位两个;按应用分军用和民用。其中军用频率在1.227GHz ,由美国军方独占,用途主要用于武器制导,侦查等军事和战争
以薄膜混合集成电路为基础,采用AL2O3精细陶瓷做衬底和国际上较先进的共晶工艺,运用宽带内补偿网络和负反馈并用的设计方法,结合理论计算和仿真技术,实现了高指标C波段宽带低噪声放大器的设计,测试结果验证
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