文章介绍采用软磁薄膜集成制造的平面传输线型射频(RF)噪声抑制器。该抑制器的纵向结构是由 ① 软磁薄膜(2mm&TImes;15mm&TImes;1.2μm);② 聚酰亚胺膜(2μm厚);③ 铜(Cu)箔(15.2m长&TImes;3μm厚)传输线;④ TI/Cu 籽晶层;⑤ 玻璃基片(1mm 厚度)等组成的。共平面传输线用电镀铜的方法制备,其特性阻抗为 50Ω。信号线宽为50μm。软磁膜采用射频磁控溅射淀积法制造,基本软磁膜为 CoPdAlO 和 CoNbZr 合金材料。将这种磁膜集成式射频噪声抑制器与非集成射频噪声抑制器比较,以噪声抑制器的共振点信号衰减量为例,用 1μm 厚度的 CoNbZr 膜时,信号的衰减量从 -4dB 增大到 -30dB;用 CoPdAlO 膜(2μm 厚度)时,则从 -15dB 增大到 -57dB。可见其抑制电磁噪声的效果显著。
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