The UTC 60N06 is n-channel enhancement mode power field effect transistors with stable off-state characterisTIcs, fast switching speed, low thermal resistance, usually used at telecom and computer applicaTIon.
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它提供了高性能的通态电阻,快速开关性能,和优良的质量。 这些设备也可以用于工业应用,如电动汽车(电动自行车)的大功率驱动器,DC/DC变换器和BMS,通用应用
2N6661VN88AFD pdf datasheet
ML8050pdf ML8050datasheet N
NEO-M9N_DataSheet_(UBX-19014285).pdf
产品型号:MLP2N06CLG源漏极间雪崩电压VBR(V):62源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):400最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:N沟道封装/温度(°C):3TO-220AB
产品型号:MLP1N06CLG通态电阻RDS(on)(Max)(Ω)(@VGS=5.0V):0.750过压保护:Yes过流保护:Yes过热保护:NoESD:Yes总功耗Pd(W):40封装/温度(°C
产品型号:NTD20N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):39最大漏极电流Id(on)(A):20通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~1
产品型号:NTD24N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):36最大漏极电流Id(on)(A):24通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~1
产品型号:NTB18N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85最大漏极电流Id(on)(A):15通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55~
产品型号:NTB75N06G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.500最大漏极电流Id(on)(A):75通道极性:N封装/温度(°C):D2PAK-3/-
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