MOSFET驱动器与MOSFET栅极电荷匹配设计

本文档是IR高压门极驱动芯片的设计指南,中文版本,值得收藏。

功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而非常适合用作开关电源(switch-modepowersupplies,SMPS)的整流组件,不过,在选用MOSFET时有一些注意事项。

MOSFET驱动电路的选择: 1、IR21系列:因为主电路的MOSFET开关频率要达到100KHz,原先IR21系列的最短开通关断的时间是1.35uS,达不到100KHz的开关要求.IR最新的驱动I

在低电压（100V以下）驱动应用中，多使用MOSFET作为功率转换器件。随着电压的提高，MOSFET的优势也随着不明显，所以在高压的应用场合，多使用IGBT作为功能器件，该类器件的耐压可以做得较高，结

高频开关电源都会有较大的驱动损耗,本文提出谐振驱动技术,它可以在冲放电过程中进行有效的能量恢复。在对门极驱动损耗进行简单的介绍以后,本文提出了一个新的电路,该电路有着低驱动损耗、开关速度快、驱动电压箝

在学习UC3842驱动电路时查的一些资料仅供参考 仅供参考

呵呵，这个问题原来有点不明白，后来清楚了，和大家分享！

详细介绍了MOSFET,IGBT的隔离驱动方法，有实例

mosfet驱动设计电路mosfet特性，使用方法

 L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10(nH)，其中Length单位取mm。Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。Cgs为M