日前,Vishay Intertechnology, Inc. 推出三款面向 OR-ing 应用的功率 MOSFET,这些器件具有三种封装选择,可提供最佳的导通电阻性能,凭借这三款器件,公司将有助于提
自1976年开发出功率MOSFET以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V;低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ;工作频率范围从直流到达数兆赫
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人
1. 简介 工业上的应用对于电压及电流的量测,是基本却也是 重要的。工业上的压力、温度、湿度等。许多测量都是透过感测器后将物理讯号变成电压或者电流,再透过电子仪器的解析后显示于仪表上,因此如何量测
1.1 稳定回路比较:电压回路调节,电流回路限制。 本章讨论功率MOSFET变化对两个回路(电流和电压)行为的影响。由于MOSFET只影响功率单元,所以理论研究只适用于功率单元模型。 1.1.
IR2136是功率MOSFET和IGBT专用栅极集成驱动电路,它可以驱动工作在母线电压高达600V的功率开关器件。它带有3个独立的高压侧和低压侧输出通道,其内部采用自举技术,仅需要一个直流电源,就可输
本文主要讲了一下关于晶闸管导通关断条件和方法,下面一起学习一下
功率限制器原理: 限电器-负载识别器A型断电后自动恢复方式:断净电后限电器自动恢复(必须拔除所有用电器,已经关闭的电视机电脑等因为内部含有电容等储电器件必须要从插板上拔出才能恢复,或者断开再闭合开关一
