全桥逆变电路作为大功率变换器的主要拓扑形式,其功率开关管工作的可靠性对电路的稳定运行具有关键性的作用。针对高压电源IGBT全桥逆变主电路专用驱动模块M57962L隔离供电的问题,设计了具有11绕组,9
隔离式半桥驱动器的功能是驱动高端和低端N沟道MOSFET(或IGBT),通过低输出阻抗降低导通损耗,同时通过快速开关时间降低开关损耗。高端和低端驱动器需要高度匹配的时序特性,以实现精确高效开关操作。这
引言 目前现售的高压功率MOSFET是一种N-沟道、增强型、双扩散、金属氧化硅场效应晶体管。它们和NPN双极型晶体管具有相同的功能,但前者采用电压控制的器件,而后者则是采用电流控制的双极型器件
利用多年的实例总结了一些经验拿来和大家分享。有关变流器的核心器件-MOSFET和IGBT。MOSFET和IGBT是当前变流器中应用最广泛,最重要的两类核心器件。MOSFET主要应用在低压和中压(中小功
全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出完善的IGBT模块系列,适合电机驱动逆变器、开关模式电源、不间断电源、太阳能逆变器及
使用Multisim软件实现IR2110对全桥电路的控制,原理清晰,可供参考学习软件是14版本参照IR2110典型电路搭建
基于半监督LDA的文本分类应用研究,郑世卓,崔晓燕,在如今信息数据大爆炸的时代,数据的增长呈现指数级增长,而且其中大部分数据是非结构化数据,这些数据中蕴藏着大量且重要的知识
Vishay正在向其光电子产品系列中添加一款 0.5A MOSFET/IGBT 驱动器,该器件的最大低电平输出电压为 1.0V,因此无需使用负栅极驱动器。在一个封装中结合了高速光耦合器与 IGBT/M
IR2110驱动IGBT模块中的栅极抗干扰技术 陶海敏,何湘宁 (浙江大学电力电子研究所,浙江 杭州310027) 摘 要 : 介 绍 了 IR2110驱 动 芯 片 的 特 点 , 对 IGBT驱
