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以平朔东露天矿的开采工艺的选择为背景,针对现阶段为了摆脱对燃油和轮胎的依赖,降低露天开采成本的实际问题,通过分析各种开采工艺的优缺点及半连续开采工艺在露天矿的设置类型,总结归纳半连续开采工艺在露天矿中
隔离式半桥驱动器的功能是驱动高端和低端N沟道MOSFET(或IGBT)，通过低输出阻抗降低导通损耗，同时通过快速开关时间降低开关损耗。高端和低端驱动器需要高度匹配的时序特性，以实现精确高效开关操作。这
利用多年的实例总结了一些经验拿来和大家分享。有关变流器的核心器件-MOSFET和IGBT。MOSFET和IGBT是当前变流器中应用最广泛,最重要的两类核心器件。MOSFET主要应用在低压和中压(中小功
引言 目前现售的高压功率MOSFET是一种N-沟道、增强型、双扩散、金属氧化硅场效应晶体管。它们和NPN双极型晶体管具有相同的功能,但前者采用电压控制的器件,而后者则是采用电流控制的双极型器件
全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出完善的IGBT模块系列,适合电机驱动逆变器、开关模式电源、不间断电源、太阳能逆变器及
移相全桥DCDC变换器的应用研究
使用Multisim软件实现IR2110对全桥电路的控制，原理清晰，可供参考学习软件是14版本参照IR2110典型电路搭建
基于半监督LDA的文本分类应用研究，郑世卓，崔晓燕，在如今信息数据大爆炸的时代，数据的增长呈现指数级增长，而且其中大部分数据是非结构化数据，这些数据中蕴藏着大量且重要的知识
Vishay正在向其光电子产品系列中添加一款 0.5A MOSFET/IGBT 驱动器,该器件的最大低电平输出电压为 1.0V,因此无需使用负栅极驱动器。在一个封装中结合了高速光耦合器与 IGBT/M
IR2110驱动IGBT模块中的栅极抗干扰技术 陶海敏,何湘宁 (浙江大学电力电子研究所,浙江 杭州310027) 摘 要 : 介 绍 了 IR2110驱 动 芯 片 的 特 点 , 对 IGBT驱
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