该款GaNFastTM功率IC集成了高性能的eMode GaN FET与集成栅极驱动，实现了前所未有的高频和高效率运行。集成了GaNSenseTM技术，实时准确感知电压、电流和温度，提高了性能和稳健性。该产品具有短路和过温保护功能，提高了系统鲁棒性，自带自动待机模式提高了轻、小和空载效率。此款GaN ic结合了最高的dV/dt抗扰度、高速集成驱动和低EMI达到MHz+频率的能力，具有极高的效率和低电感。Navitas的GaN IC技术扩展了传统拓扑结构的能力，以非常高的效率和低EMI达到MHz+频率，以非常有吸引力的成本结构实现前所未有的功率密度。