本文基于silvaco进行MOSFET实验仿真研究，重点探讨了正向导通、反向导通和阈值电压在仿真曲线中的表现。同时，通过对不同氧化层厚度和p区掺杂浓度的调整，分析它们对器件特性的影响。全文提供源码和详细的特性仿真曲线分析。