硬件元器件解析选择适用的TVS管

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1.绝缘栅型场效应管的结构 绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从SiO2上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻

中国人选购商品的时候习惯货比三家,比完品牌比产品,比完产品比质量。下面就跟楼主一起来看下TVS二极管和其他电子保护器件相比的优势。

(1)应根据电路要求选择电容器的类型。对于要求不高的低频电路和直流电路,一般可选用纸介电容器,也可选用低频瓷介电容器。在高频电路中,当电气性能要求较高时,可选用云母电容器、高频瓷介电容器或穿心瓷介电容

横向PNP管、纵向PNP管的结构与特点 由于模拟集成电路中要应用NPN-PNP互补设计以及某些偏置电路极性的要求,需要引入PNP结构的晶体管。图A 示出集成电路中的两种PNP型管。其中,横向PNP管广

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双栅场效应管有一个源极、一个漏极和两个栅极,其中两个栅极是互相独立的,使得它可以用来作高频放大器、混频器、解调器及增益控制放大器等。表列出了一些双栅场效应管的主要特性参数。 一些双栅场效应管圭要特性

1.V-MOS场效应管的结构 V-MOS场效应管的结构如图所示。它是在N+衬底上的N-外延层上,先后进行P-型区和N+型区两次选择扩散,然后利用硅的各向异性刻蚀技术,刻蚀出V形槽。漏极从芯片的背面引

1.阻尼二极管的特点及应用 阻尼二极管类似于高频、高压整流二极管,其特点是具有较低有电压降和较高的工作频率,且能承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流. 阻尼二极管主要用在电视机中,作为阻尼二极