这个MULTISIM仿真模型展示了一种具有光耦隔离的PMOS驱动电路。通过引入三极管Q2来辅助Cgs寄生电容的泄放电荷,该电路能够显著缩短MOS管的关断时间。在MOS管即将关断时,Cgs寄生电容电压达到了电源电压。此时,与Cgs寄生电容的负极相连的三极管Q2的e极处于高电平状态,通过与电源连接的R10,三极管Q2导通。这导致Cgs寄生电容的电荷通过Q2-R4迅速放电,并经过R2进行消耗,从而减少了MOS管的关断时间,提高了其开关频率。
这个MULTISIM仿真模型展示了一种具有光耦隔离的PMOS驱动电路。通过引入三极管Q2来辅助Cgs寄生电容的泄放电荷,该电路能够显著缩短MOS管的关断时间。在MOS管即将关断时,Cgs寄生电容电压达到了电源电压。此时,与Cgs寄生电容的负极相连的三极管Q2的e极处于高电平状态,通过与电源连接的R10,三极管Q2导通。这导致Cgs寄生电容的电荷通过Q2-R4迅速放电,并经过R2进行消耗,从而减少了MOS管的关断时间,提高了其开关频率。
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