功率半导体：器件与材料推动未来发展

本报告深入探讨功率半导体行业，着重分析器件类型和材料性能对未来发展的影响。

核心器件类型：

  • MOSFET：市场主流，应用广泛，但受材料限制发展。
  • IGBT：高压应用领域的主力，但开关速度受限。
  • SiC 器件：新兴技术，具备高频、高效特性，应用潜力巨大。
  • GaN 器件：另一新兴技术，优势在于高频和小型化。

材料性能革新：

  • SiC 材料：禁带宽度大，导热率高，适用于高压、高温、高频场景。
  • GaN 材料：禁带宽度大，电子迁移率高，适合高频、高功率密度应用。

未来趋势展望：

  • SiC 和 GaN 器件将逐步替代 Si 器件，推动功率半导体性能提升。
  • 材料技术持续进步，器件成本下降，市场渗透率将不断提高。
  • 新能源汽车、工业控制、消费电子等领域需求增长，驱动行业发展。

投资建议：

关注具备 SiC 和 GaN 技术研发能力和产能布局的企业。