采用组份均匀薄膜近似，对射频磁控溅射的司太立沉积薄膜进行了背散射测量，结果发现薄膜中钨的含量与司太立靶材相一致，表明采用该工艺直接由司太立靶材制备司太立薄膜是可行的。