本设备包括注入系统和电子束系统，用于材料的表面改性和薄膜制备。
注入系统由溅射离子源及不对称三电极加速管组成，能量50keV，流强4mA（N+）。
电子束系统能量45keV，功率密度102-106W/cm2，配有微机程序的束偏摆装置和靶材易换的磁控溅射靶。高真空工作室尺寸为500mm×1600mm，支持旋转、平移、升降等机械运动。
该设备可进行离子注入及混合、电子束上釉及合金化、磁控溅射离子镀等多种工艺，为材料表面改性和薄膜制备提供了新的手段。