(7)开发费用和生产成本ASIC的开发费用NRE(Non Recurring Engineering)和生产成本与ASIC所选的类型有关。同时ASIC的类型又往往与ASIC的性能要求和产品数量有关，因此必须作一全面比较后才能确定。NRE费用包括设计和验证、原型样品的试制、测试程序和测试向量的开发费用、掩模版的制版、工程流片以及设计工具的费用等。如果第一次试制不成功，那么还得进行样品的测试分析、设计修改以及再次制版和流片，那么NRE费用将会大大增加，也就是说NRE费用与ASIC的难度以及设计人员的经验都有很大关系。ASIC生产成本不仅与ASIC的规模、制造工艺、以及流片成品率有关，同时也与封装形式和产品的批量有密切关系，通常批量越大，单价也越低。

市场方面，ASIC设计和研制还必须考虑到市场的需求情况，包括上市时间，需求量以及产品的生命周期等。

2.10 深亚微米设计方法和设计技术

2.10.1 深亚微米工艺给集成电路设计带来的新问题

九十年代以来，集成电路生产工艺从亚微米飞速发展到深亚微米，ASIC的集成度以三年四倍的速度提高。目前已达到百万门级水平，这些变化给ASIC设计及其自动化提出了许多新的问题和挑战。这些问题有的是由于器件尺寸减小直接引起的，也有一些是由于单片集成度提高而造成的。有些问题在亚微米阶段就已存在，但进入深亚微米时期，矛盾更为激化。有以下几方面问题需要解决。

  1. 元件模型变化

由于元件尺寸减小，元件的物理特性和电学特性发生很大变化。原来用于微米、亚微米的器件模型不能适合深亚微米器件。这就要求开发新的短沟道器件模型，要求新的器件模型能精确地描述深亚微米的物理特性。有关深亚微米下ASIC后端设计的实例，您可以参考深亚微米下ASIC后端设计及实例。

  1. 可测性设计技术

深亚微米ASIC设计的可测性设计技术也是关键一环，了解更多可以访问面向深亚微米ASIC设计的可测性设计技术。

  1. 静态时序分析

深亚微米工艺集成电路的静态时序分析带来了更多复杂性，详细教程可参见深亚微米工艺集成电路静态时序分析教程。

  1. 光刻技术

激光光刻在深亚微米工艺中的研究同样不容忽视，详细信息请见深亚微米激光光刻研究。

  1. 天线效应

深亚微米IC设计中的天线效应问题也是一个难点，可以参考超深亚微米IC设计中的天线效应。