第二章ASIC设计过程中涉及的许多技术细节和工具，其中包括命名、类型以及扇入、扇出参数等等。这类软件可以对比检查晶体管及其连线，记录并指出差异，生成匹配和不匹配节点的列表。例如在深亚微米下ASIC后端设计及实例中，有详细的实例解析。

2.6.5版图参数提取、反标注和后仿真，这些过程检查各层版图之间的关系，提取出晶体管连线产生的分布电容和分布电阻。利用几何图形相交或相来识别器件，同时计算分布电容、电阻的大小。对于亚微米工艺电路来说，分布电容、电阻产生的信号延迟相对较小；但在深亚微米电路中，随着线条宽度缩小到0.35μm、0.18μm，连线间隔变得更近，分布电容和电阻也大幅增加，甚至超过器件本身的延迟。关于这一点，可以参考版图设计及其验证ERC电学规则检查。

反标注（Back-Annotation）则是将提取的分布电阻和电容添加到对应节点的参数中，实质上是修改节点参数值。例如与栅极相连的节点提取了分布电容再加到栅极电容上，这样的操作称为反标注。版图布局布线后，再进行版图分布参数的提取和反标注，再进行仿真或模拟，这一过程称为版图后仿真，它使仿真结果更接近芯片的实际情况。假如仿真成功，原设计版图就可以制版流片；但如果失败，就需要重新修改版图，针对关键路径减小分布参数，甚至需要修改电路结构。对于深亚微米电路设计，这种反复可能需要多次，甚至可能设计无法成功，如同在面向深亚微米ASIC设计的可测性设计技术中提到的那样。