第一章等用集成电路报述个月增加一倍的摩尔规律增长。对于存储器电路来说，由于电路结构比较单一，它的集成度还要高得多，目前国际上单片集成度已经达到几千万甚至几亿个晶体管。随着芯片集成度的提高，电子系统的功能增强，速度和可靠性提高，功耗、体积和成本下降，应用领域也不断扩大。随着集成电路创造工艺水平的进一步提高，以及设计技术的进一步改进，集成度还将继续高速增长，特大规模(ULSI)和巨型规模(GLSI)的集成电路产品将会不断地涌现出来，片上系统的时代已经到来。

特征尺寸是集成电路的另一个重要指标，它定义为集成电路器件中最细线条的宽度，对于CMOS器件而言，通常是指器件栅极所决定的沟道几何长度。特征尺寸也反映了集成电路版图图形的精细程度，这不仅涉及到集成电路版图设计的设计规则（几何规则）而且关系到工艺加工时的各种要求，不同的特征尺寸直接影响到电路的性能参数。集成电路线条宽度越小则工艺加工精度越难，对制版设备和刻蚀设备的要求也越高。从CMOS电路的生产水平来看，80年的线宽为5微米到3微米，90年达到1微米，95年为0.5微米，部分已进入0.35微米，97年以来国际上的生产水平已达到0.35微米和0.25微米，0.18微米技术处于领先地位。

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