1.3 专用集成电路的类型及特点

半导体集成电路生成在几百微米厚度的硅单晶圆片上，通常在一个wafer上可以制成数百个芯片。晶体管和连线是由10-15层制成的，它们之间是一层迭一层，上一层在下一层的基础上，采用光刻、扩散技术生成的。每次光刻都需要不同掩膜版，每层掩膜版上都有相应的图形，由这些图形确定硅片上曝光的区域，也确定了扩散的区域。通常，前6层用来准备晶体管，后6层用于制备晶体管之间的金属连线。

按制造方法区分，ASIC可以分成全定制、半定制和可编程三类。

全定制ASIC的硅片没有经过预加工，其各层掩膜都要按特定电路的要求专门进行设计，这就是所谓客户式设计。通常，设计人员要花费大量时间以交互方式去遂行版图单元设计、布图布线设计，以节省每平方微米的硅片面积。同时，用这种方式设计的电路除了数字电路以外允许包含模拟电路、优化的存储单元或其它工艺允许的器件。想要深入了解全定制IC的流程？可以点击这里查看详细介绍。

半定制ASIC的全部逻辑单元是预先设计好的，可以从单元库调用所需单元来设计掩膜图形。这样做显然可使版图设计要容易和方便很多。有两种半定制类型。对应着两种半定制设计方法：标准单元方法和门阵列方法，在实际设计时可以使用相应的EDA软件，自动地进行布局布线。要了解如何使用Virtoso进行半定制设计，可以查看这篇文章。

还有一类可编程专用集成电路，它的全部逻辑单元都已预先制成，因此不需要定制任何掩膜，用户可以利用相应的开发工具按照自己的电路要求对可编程器件进行编程以实现特定的逻辑功能。有两种可编程ASIC类型，即可编程逻辑器件以及ASIC系列的最新成员——现场可编程门阵列FPGA。想知道如何实现更高效的SiP解决方案吗？这篇文章或许会给你答案。