3. 嵌入式闪存

3.1 闪存主要特性

  • 高达64K字节闪存存储器

  • 存储器结构：

  • 主闪存模块：16K字（16K×32位）

  • 信息模块：1K字（1K×32位）

闪存接口的特性为：

  • 带预取缓冲器的读接口(每字为2×64位)

  • 选择字节加载器

  • 闪存编程/擦除操作

  • 访问/写保护

  • 低功耗模式

3.2 闪存功能描述

3.2.1 闪存结构

闪存空间由32位宽的存储单元组成，既可以存代码又可以存数据。主闪存块按64页（每页1K字节）或16扇区（每扇区4K字节）分块，以扇区为单位设置写保护（参见存储保护相关内容）。

表3. Flash模块结构

| Flash区 | Flash存储器地址 | 大小(字节) | 名称描述 |

|---------|----------------|-----------|-----------|

| 主存储块 | 0x0800 0000 - 0x0800 03FF | 1K页 | 扇区0 |

| | 0x0800 0400 - 0x0800 07FF | 1K页 | 扇区1 |

| | 0x0800 0800 - 0x0800 0BFF | 1K页 | 扇区2 |

| | 0x0800 0C00 - 0x0800 0FFF | 1K页 | 扇区3 |

| ...... | ...... | ...... | ...... |

| | 0x0800 7000 - 0x0800 73FF | 1K页 | 扇区15 |

| | 0x0800 7400 - 0x0800 77FF | 1K页 | 扇区16 |

| | 0x0800 7800 - 0x0800 7BFF | 1K页 | 扇区17 |

| | 0x0800 7C00 - 0x0800 7FFF | 1K页 | 扇区18 |

你知道吗？Toshiba推出业界最大嵌入式NAND闪存存储器模块，让我们见识到了闪存技术的惊人进步。不仅如此，基于FPGA的闪存存储器也让高性能存储成为可能。如果你对低功耗设计感兴趣，可以看看这篇低功耗存储器设计，一定会让你眼前一亮！

而这还不是全部，串行NAND型快闪存储器接口规范GB T350092018和串行NOR型快闪存储器接口规范GB T350082018为我们提供了更加规范的技术标准，进一步确保了闪存技术的可靠性和兼容性。

如何在实际应用中实现这些技术呢？不妨参考Spansion FL K闪存特性，它详细介绍了闪存的使用方法和特点。要是你对操作系统有兴趣，μC OS II内核扩展接口的低功耗模式将带你深入了解嵌入式系统的低功耗设计。

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