分层贴片天线结构如图9.29所示。接地平面上的CPW端接一个激励槽，CPW中心导体跨过激励槽与接地平面连接。这种感性连接表现出阻抗曲线在Smith圆图上的感性区域，而容性耦合的激励槽则通过CPW中心导体与地之间的槽实现，这样CPW中心导体是悬空的。因为感性耦合容易实现阻抗匹配（S. M. Deng, et al., IEEE Microwave Duided Wave Lett., vol.1, p.340-342, 1991），所以更值得深入研究，而容性耦合在此不再进一步探讨。

在制作实验天线时，我们采用了多芯片组件和薄膜沉积技术（MCM-D），使得结构更为紧凑和高效。基础电子中的容性耦合和感性耦合原理可参考基础电子中的容性耦合和感性耦合，而天线阻抗匹配的更多细节可见天线阻抗匹配原理。

对于下基片，厚度为H1，相对介电常数为[ε_{r1}]，相对导磁率为[μ_{r1}]。上基片的厚度为H2，相对介电常数为[ε_{r2}]，相对导磁率为[μ_{r2}]。更详细的CPW馈电蝶形天线设计可以参考共面波导CPW馈电蝶形天线。