射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用，是现代无线通信的关键设备。与传统的行波放大器相比，射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等优点；由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位重要，使得其研制变得十分关键。射频集成功率放大器的常见工艺包括GaAs、SiGe BiCMOS和CMOS等。GaAs工艺具有良好的射频特性和输出功率能力，但价格昂贵且工艺一致性差；CMOS工艺的功率输出能力较低，难以应用于高输出功率场合；SiGe BiCMOS工艺性能介于GaAs与CMOS之间，价格较低并且与CMOS电路兼容，适用于中功率应用场合。介绍了三种工艺在无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器设计与实现。