现有非易失性内存文件系统都以DRAM模拟非易失性内存（Non-Volatile memory，NVM）进行测试，而没有充分考虑两者间的写时延和写磨损特性差异，使得测试结果无法准确反映文件系统在NVM物理设备上的写性能以及对NVM造成的磨损情况。现有NVM模拟器准确度不高，且仿真接口不完备，无法满足内存文件系统对NVM的仿真需求。对此，提出一种面向非易失性内存文件系统的NVM模拟与验证方法。首先，结合非易失性内存文件系统本身的数据读写特性，提出内存文件系统中NVM写时延的模拟方案;其次，跟踪内存文件系统对NVM的读写操作，以验证文件系统对NVM物理设备的写磨损分布情况。选取多个典型内存文件系统实现上述方法。实验结果表明，提出的写时延模拟方法能够将写时延的模拟误差平均降低65%，写磨损验证方法能够较准确地反映内存文件系统对不同粒度NVM页面的磨损分布情况。