NoisII外挂SRAM

基于FPGA与SRAM数据采集系统设计，输入输出结构的新定义

本代码系参考其他代码后,优化并添加测试程序,有适当注释,可以直接使用. 使用飓风2代FPGA,IS61LV25616AL-10TL 型号的SRAM. 经测试在300MHZ的时钟频率下(测试代码和SRA

双端口SRAM虽然可以同时进行来自两个端口的存取操作,但不可以在同时对同一地址进行存取操作(发生冲突)。在一个端口完成存取操作之前,另一个端口必须等待。我们利用BUSY信号完成这种功能。 基本的操

作为异步类型的双端口SRAM,我们以Cypress公司的CY7C019为例,CY7C019的内部框图如图所示。 图 CY7C019的内部框图 中央部分为双端口存储器阵列,并列着能同时设置两个地

图表示了双端口SRAM写操作的波形,从图形可知,也是同异步SRAM相同的操作。在该示例中,OE仍然无效,先确定R/W信号后,通过CE信号进行写入操作。图中CE0、CE1虽然同时发生变化,但也可以其中一

图表示了双端口SRAM读操作的波形。与异步SRAM相同,确定地址后,在CE0为低电平、CE1为高电平时器件被选择,通过R/W为高电平和面为低电平,确定读操作状态,从而读出数据。而主机方面只要提取该数据

作为同步双端口SRAM,我们以CY7C09199为例进行说明。CY7C09199与CY7C019相同,都是128K×9位结构的双端口存储器,其框图如图所示,由图可知,各个信号引脚都是利用时钟进行采样操

赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor Corp.)宣布推出首款非易失性SRAMs(nvSRAMs),该存储器在断电情况下,无需电池就能实现内部数据存储。由于不再需要外部电池,

SRAM一直是网络应用的重要组成部分,它可提高带宽,从而在许多高性能应用中起着主导作用。这些应用包括无总线时延 (NoBL)和四倍数据速率 (QDR) 等。就系统资源及内存带宽要求而论,分组处理对内存

本设计使用Verilog硬件描述语言进行SRAM的模拟控制，方便用户移植和修改