# IPD30N03S4L-14技术参数
INFINEON IPD075N03L G技术参数详解
INFINEON IPD075N03L G芯片是英飞凌公司的产品，其技术参数决定了在各种应用中的性能表现。该芯片在电源管理、电动
IPD30N03S4L14英飞凌电子元器件芯片PDF下载
IPD30N03S4L-14英飞凌电子元器件芯片的技术特点、应用场景、性能参数等相关信息。了解IPD30N03S4L-14的功能
NTD14N03RT4G的技术参数
产品型号:NTD14N03RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):117最大漏极电流
NTD14N03RT4G的技术参数
产品型号:NTD14N03RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):117最大漏极电流
NTD14N03R的技术参数
产品型号:NTD14N03R源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):117最大漏极电流Id(
NTB30N06L的技术参数
产品型号:NTB30N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):38最大漏极电流Id(o
NTP30N06L的技术参数
产品型号:NTP30N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):46最大漏极电流Id(o
IPD90N06S4L
IPD90N06S4L技术规格书。。。。。。。。。。。。。。。。。
NTD20N03L27的技术参数
产品型号:NTD20N03L27源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):27最大漏极电流Id
NTB75N03L09T4G的技术参数
产品型号:NTB75N03L09T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8最大漏极电流