# n Si
n Si和p Si体内迁移率
n-Si和p-Si表面有效迁移率还不到 体内迁移率的一半,并且与晶向有关。 具体数值与硅表面状况有关。MOS工艺常选用(100)
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N_HaNg_Si N행시React Project1팀 源码
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Synthesis of si C nanostructures by Laser Ablation of silicon Target in n heptan
用激光烧蚀庚烷蒸气中的硅靶合成Si-C纳米结构，吕奎明，孙景，实现了在激光消融系统中以固体硅靶和庚烷蒸气为原料可控合成Si-C纳
Total Ionizing Dose Effects of Si Vertical Diffused MOSFET with SiO2and Si3n4S
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Si
利用密度泛函理论中的B3LYP方法,在6-311G(d)基组上对Sin-1N和Sin-2N2(n=3~8)阴阳离子团簇的几何结构
Si4734Si4735
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Terahertz generation from Si_3n_4covered photoconductive dipole antenna
We observe enhanced terahertz (THz) radiation generated from a S
基于AFORS HET的单层MoS2n a Si i c Si pμc Si p加异质结太阳能电池模拟
设计了单层 MoS2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+) 异质结太阳能电池结构, 采用AFORS-HET模